硅二極管溫度傳感器的精度會受多方面因素共同影響，核心可以分成器件本身和外部使用兩大類。

制造過程中材料的均勻性、工藝穩(wěn)定性會直接影響器件的初始離散性，未經(jīng)篩選的器件會存在固有測量偏差。不同封裝形式也會帶來差異，裸片或微型封裝的傳感器熱響應(yīng)更快、熱容更小，動態(tài)測溫的準(zhǔn)確性會優(yōu)于厚層封裝的產(chǎn)品。

激勵電流的控制是使用環(huán)節(jié)的關(guān)鍵，通常要采用10μA到100μA的小電流驅(qū)動，避免電流過大引發(fā)傳感器自熱，導(dǎo)致測溫出現(xiàn)偏差。是否經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)也至關(guān)重要，未校準(zhǔn)的器件精度會明顯受限，經(jīng)過NIST標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ糜驮⌒?zhǔn)的產(chǎn)品，測量精度能得到大幅提升。

除此之外，配套電路的元件選型、布局，以及使用環(huán)境的溫度波動、電磁干擾等，也會在不同程度上影響*終的測量精度表現(xiàn)。